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SUD50P04-08-GE3  与  TJ40S04M3L(T6L1,NQ  区别

型号 SUD50P04-08-GE3 TJ40S04M3L(T6L1,NQ
唯样编号 A3t-SUD50P04-08-GE3 A-TJ40S04M3L(T6L1,NQ
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.1mΩ@22A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V 40 V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 68W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 9.1 毫欧 @ 20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4140 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 83 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252 DPAK+
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 40A(Ta)
系列 SUD -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5380pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 159nC @ 10V -
Vgs(最大值) - +10V,-20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD50P04-08-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 8.1mΩ@22A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252 P-Channel 40V 50A

暂无价格 0 当前型号
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 68W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 40 V 40A(Ta)

暂无价格 0 对比
FDD6637 ON Semiconductor 通用MOSFET

±25V 3.1W(Ta),57W(Tc) 11.6m Ohms@14A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 35V 13A 13A(Ta),55A(Tc) 11.6 毫欧 @ 14A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

¥4.103 

阶梯数 价格
20: ¥4.103
64 对比
FDD4141_F085 ON Semiconductor 通用MOSFET

10.8A(Ta),50A(Tc) ±20V 2.4W(Ta),69W(Tc) 12.3m Ohms@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK P-Channel 40V 10.8A

暂无价格 0 对比
FDD4141 ON Semiconductor 通用MOSFET

2.4W(Ta),69W(Tc) 12.3m Ohms@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 10.8A P-Channel 40V 10.8A(Ta),50A(Tc) ±20V 12.3 毫欧 @ 12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) D-PAK(TO-252AA) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 对比
FDD6637 ON Semiconductor 通用MOSFET

±25V 3.1W(Ta),57W(Tc) 11.6m Ohms@14A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 35V 13A 13A(Ta),55A(Tc) 11.6 毫欧 @ 14A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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