SUD50N06-09L-E3 与 AUIRFR1018ETRL 区别
| 型号 | SUD50N06-09L-E3 | AUIRFR1018ETRL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUD50N06-09L-E3 | A-AUIRFR1018ETRL |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 0.0093 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.3mΩ@20A,10V | 8.4mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),136W(Tc) | 110W |
| Qg-栅极电荷 | - | 46nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 50A | 79A |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2650pF @ 25V | - |
| 长度 | - | 6.5mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 70nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 高度 | - | 2.3mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SUD50N06-09L-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 60V 50A 9.3mΩ@20A,10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AOD2610E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥2.046
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20,169 | 对比 | ||||||||||||||
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TK60S06K3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta) |
￥8.3367
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1,722 | 对比 | ||||||||||||||
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TK60S06K3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta) |
￥8.3367
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1,491 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD2610 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 10.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 60V 46A TO252 71.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AUIRFR1018ETRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 79A 8.4mΩ 20V 110W N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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