SUD50N02-06P-E3 与 FDD3706 区别
| 型号 | SUD50N02-06P-E3 | FDD3706 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUD50N02-06P-E3 | A3t-FDD3706 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 20 V 0.006 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | N-Channel 20 V 8 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - DPAK (TO-252) |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 3.8W(Ta),44W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6 mOhms @ 20A,10V | 9 毫欧 @ 16.2A,10V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 6.8W(Ta),65W(Tc) | 3.8W(Ta),44W(Tc) |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 连续漏极电流Id | 50A(Tc) | 14.7A(Ta),50A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1882pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 23nC @ 4.5V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1882pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 23nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SUD50N02-06P-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 20A,10V 6.8W(Ta),65W(Tc) TO-252 -55°C~175°C 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDD3706 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
3.8W(Ta),44W(Tc) 9m Ohms@16.2A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 14.7A N-Channel 20V 14.7A(Ta),50A(Tc) ±12V 9 毫欧 @ 16.2A,10V -55°C~175°C(TJ) D-PAK(TO-252AA) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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