SUD45P03-09-GE3 与 FDD6685 区别
| 型号 | SUD45P03-09-GE3 | FDD6685 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUD45P03-09-GE3 | A3t-FDD6685 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 30 V 8.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 52W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.7 mOhms @ 20A,10V | 20 毫欧 @ 11A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W(Ta),41.7W(Tc) | 52W(Ta) |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±25V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 连续漏极电流Id | 45A(Tc) | 11A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1715pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 24nC @ 5V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1715pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 24nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SUD45P03-09-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
45A(Tc) P-Channel 8.7 mOhms @ 20A,10V 2.1W(Ta),41.7W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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STD30PF03LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||
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NTD25P03LT4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥3.322
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3,320 | 对比 | |||||||||||
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STD30PF03LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||
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FDD6685 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
11A(Ta),40A(Tc) ±25V 52W(Ta) 20m Ohms@11A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK P-Channel 30V 11A 20 毫欧 @ 11A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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STD30PF03LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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