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SUD35N10-26P-GE3  与  AOD2910E  区别

型号 SUD35N10-26P-GE3 AOD2910E
唯样编号 A3t-SUD35N10-26P-GE3 A-AOD2910E
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 SUD35N10-26P Series N-Channel 100 V 0.026 Ohms 83 W SMT Power Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 6.3
Rds On(Max)@Id,Vgs 26m Ohms@12A,10V 23mΩ@20A,10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 33mΩ
Qgd(nC) - 2.5
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 TO-252-3,Dpak,SC-63 TO-252
连续漏极电流Id 35A(Tc) 37A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
Ciss(pF) - 1200
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 7V,10V -
Trr(ns) - 25
Td(off)(ns) - 20
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 8.3W(Ta),83W(Tc) 71.5W
Qrr(nC) - 120
VGS(th) - 2.7
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 12V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 10V -
Coss(pF) - 93
Qg*(nC) - 8
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD35N10-26P-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100V 35A(Tc) ±20V 8.3W(Ta),83W(Tc) 26m Ohms@12A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 0 当前型号
IRLR2908PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 120W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 28mΩ@23A,10V N-Channel 80V 39A D-Pak

暂无价格 0 对比
AOD2910E AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 37A 71.5W 23mΩ@20A,10V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
AOD4126 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±25V 43A 100W 24mΩ@20A,10V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
FDD3860 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6.2A(Ta) ±20V 3.1W(Ta),69W(Tc) 36m Ohms@5.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 100V 6.2A TO-252AA

暂无价格 67,500 对比
STD40NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 12,500 对比

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