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SUD25N15-52-E3  与  FDD770N15A  区别

型号 SUD25N15-52-E3 FDD770N15A
唯样编号 A3t-SUD25N15-52-E3 A36-FDD770N15A
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 0.052 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 FDD770N15A Series 150 V 18 A 77 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 - 56.8W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ@5A,10V 77 毫欧 @ 12A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),136W(Tc) 56.8W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 25A 18A
系列 TrenchFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1725pF @ 25V 765pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V 11nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 765pF @ 75V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,449
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.686
100+ :  ¥3.905
1,250+ :  ¥3.553
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD25N15-52-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),136W(Tc) 52mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 150V 25A

暂无价格 0 当前型号
AOD2544 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 150V 20V 23A 75W 54mΩ@5A,10V -55°C~175°C

¥3.036 

阶梯数 价格
20: ¥3.036
100: ¥2.519
1,250: ¥2.299
2,500: ¥2.2
3,297 对比
AOD2544 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 150V 20V 23A 75W 54mΩ@5A,10V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
PSMN063-150D,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 150V 29A

暂无价格 0 对比
FDD2582 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-252

暂无价格 2,500 对比
FDD770N15A ON Semiconductor 通用MOSFET

18A(Tc) ±20V 56.8W(Tc) 77m Ohms@12A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 150V 18A 77 毫欧 @ 12A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

¥4.686 

阶梯数 价格
20: ¥4.686
100: ¥3.905
1,250: ¥3.553
1,449 对比

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