SUD25N15-52-E3 与 IRFR24N15DTRPBF 区别
| 型号 | SUD25N15-52-E3 | IRFR24N15DTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUD25N15-52-E3 | A-IRFR24N15DTRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 150 V 0.052 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 52mΩ@5A,10V | 95mΩ@14A,10V |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),136W(Tc) | 140W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | D-Pak |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 25A | 24A |
| 系列 | TrenchFET® | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1725pF @ 25V | 890pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | 45nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 890pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 45nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUD25N15-52-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) 52mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 150V 25A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AOD2544 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 150V 20V 23A 75W 54mΩ@5A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN063-150D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 150V 29A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FDD2582 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
|
FDD390N15A | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252(DPAK) |
暂无价格 | 1 | 对比 |
|
IRFR24N15DTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 95mΩ@14A,10V N-Channel 150V 24A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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