SUD20N10-66L-GE3 与 AOD4286 区别
| 型号 | SUD20N10-66L-GE3 | AOD4286 | ||||||
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| 唯样编号 | A3t-SUD20N10-66L-GE3 | A36-AOD4286 | ||||||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 16.9A(Tc) | 14A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 66 mOhms @ 6.6A,10V | 68mΩ@5A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W(Ta),41.7W(Tc) | 30W | ||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,845 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SUD20N10-66L-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
16.9A(Tc) N-Channel 66 mOhms @ 6.6A,10V 2.1W(Ta),41.7W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
￥1.815
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6,624 | 对比 | ||||||||||
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AOD4286 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 14A 30W 68mΩ@5A,10V -55°C~175°C |
￥2.497
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1,845 | 对比 | ||||||||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
￥1.4011
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0 | 对比 | ||||||||||
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AOD4286 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 14A 30W 68mΩ@5A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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