SUD19P06-60-GE3 与 ZXMP6A18KTC 区别
| 型号 | SUD19P06-60-GE3 | ZXMP6A18KTC | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUD19P06-60-GE3 | A3-ZXMP6A18KTC | ||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | P-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - TO-252 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 mOhms @ 10A,10V | 55mΩ@3.5A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta),38.5W(Tc) | 2.15W(Ta) | ||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK | ||
| 连续漏极电流Id | 18.3A(Tc) | 10.4A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1580pF @ 30V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 44nC @ 10V | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
￥2.4888
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0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD140P06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 CPT3 |
￥7.2635
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20,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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FQD11P06TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252AA |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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NTD20P06LT4G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-4 DPAK |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
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