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SUD19P06-60-GE3  与  NTD20P06LT4G  区别

型号 SUD19P06-60-GE3 NTD20P06LT4G
唯样编号 A3t-SUD19P06-60-GE3 A3-NTD20P06LT4G
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 表面贴装型 P 通道 60 V 15.5A(Ta) 65W(Tc) DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 18.3A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 mOhms @ 10A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),38.5W(Tc) -
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 3V @ 250uA -
FET类型 P-Channel -
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD19P06-60-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 当前型号
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A

暂无价格 0 对比
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A

¥2.4888 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.4888
0 对比
RSD140P06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 CPT3

¥7.2635 

阶梯数 价格
30: ¥7.2635
50: ¥5.3374
100: ¥4.6954
300: ¥4.2642
500: ¥4.178
1,000: ¥4.1109
4,000: ¥4.063
20,000 对比
FQD11P06TM ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-252AA

暂无价格 2,500 对比
NTD20P06LT4G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-252-4 DPAK

暂无价格 2,500 对比

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