SUD19P06-60-GE3 与 FQD11P06TM 区别
| 型号 | SUD19P06-60-GE3 | FQD11P06TM |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUD19P06-60-GE3 | A3-FQD11P06TM-1 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | P-Channel 60 V 0.185 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252AA |
| 连续漏极电流Id | 18.3A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 mOhms @ 10A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta),38.5W(Tc) | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
¥2.4888
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0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD140P06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 CPT3 |
¥7.2635
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20,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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FQD11P06TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252AA |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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NTD20P06LT4G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-4 DPAK |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |