SUD19P06-60-E3 与 AUIRFR5305TR 区别
| 型号 | SUD19P06-60-E3 | AUIRFR5305TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUD19P06-60-E3 | A-AUIRFR5305TR |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 mOhms @ 10A,10V | 65mΩ |
| 上升时间 | - | 66ns |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta),38.5W(Tc) | 110W |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 39ns |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | - |
| 连续漏极电流Id | 18.3A(Tc) | 3.1A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 6.5mm |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 下降时间 | - | 63ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1200pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC @ 10V |
| 高度 | - | 2.3mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SUD19P06-60-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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IRFR5305TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) 65mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 55V 31A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||
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DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) 50mΩ@7A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 7.2A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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|
DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) 50mΩ@7A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 7.2A 车规 |
￥1.2088
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0 | 对比 | ||||
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AUIRFR5305TR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
55V 3.1A 65mΩ 20V 110W P-Channel -55°C~175°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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RSD140P06FRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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