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SUD09P10-195-GE3  与  IRFR9120NTRPBF  区别

型号 SUD09P10-195-GE3 IRFR9120NTRPBF
唯样编号 A3t-SUD09P10-195-GE3 A-IRFR9120NTRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3 Single P-Channel 100 V 0.48 Ohm 27 nC 40 W Surface Mount Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 195 mOhms @ 3.6A,10V 480mΩ@3.9A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),32.1W(Tc) 40W(Tc)
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 8.8A(Tc) 6.6A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 350pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 350pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD09P10-195-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 当前型号
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A

暂无价格 0 对比
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A

¥1.2455 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.2455
12,500: ¥1.1532
0 对比
RSD131P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥8.1834 

阶梯数 价格
20: ¥8.1834
50: ¥6.2574
100: ¥5.6153
300: ¥5.1841
500: ¥5.0979
1,000: ¥5.0308
2,500 对比
IRFR9120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 40W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 480mΩ@3.9A,10V P-Channel 100V 6.6A D-Pak

暂无价格 2,000 对比
RSD131P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥8.1834 

阶梯数 价格
20: ¥8.1834
50: ¥6.2574
100: ¥5.6153
300: ¥5.1841
500: ¥5.0979
818 对比

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