SUD09P10-195-GE3 与 DMP10H400SK3-13 区别
| 型号 | SUD09P10-195-GE3 | DMP10H400SK3-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUD09P10-195-GE3 | A-DMP10H400SK3-13 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 195 mOhms @ 3.6A,10V | 240mΩ@5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),32.1W(Tc) | 42W(Tc) |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK |
| 连续漏极电流Id | 8.8A(Tc) | 9A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1239pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 17.5nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SUD09P10-195-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
￥1.2455
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0 | 对比 | ||||||||||||||
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RSD131P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥8.1834
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2,500 | 对比 | |||||||||||||||
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IRFR9120NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 40W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 480mΩ@3.9A,10V P-Channel 100V 6.6A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RSD131P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥8.1834
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818 | 对比 |
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