首页 > 商品目录 > > > > SUD08P06-155L-GE3代替型号比较

SUD08P06-155L-GE3  与  STD10P6F6  区别

型号 SUD08P06-155L-GE3 STD10P6F6
唯样编号 A3t-SUD08P06-155L-GE3 A3t-STD10P6F6
制造商 Vishay TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述 Single P-Channel 60 V 155 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252 -
连续漏极电流Id 8.4A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 155 mOhms @ 5A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 1.7W(Ta),20.8W(Tc) -
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 3V @ 250uA -
FET类型 P-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD08P06-155L-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.4A(Tc) P-Channel 155 mOhms @ 5A,10V 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 当前型号
STD10P6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
FQD11P06TM ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-252AA

暂无价格 2,500 对比
STD10P6F6 TI 未分类

暂无价格 0 对比
IRFR9024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 对比
NVD2955T4G ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售