SUD08P06-155L-GE3 与 IRFR9024NTRLPBF 区别
| 型号 | SUD08P06-155L-GE3 | IRFR9024NTRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUD08P06-155L-GE3 | A-IRFR9024NTRLPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 60 V 155 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252 | Single P-Channel 55 V 38 W 19 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - DPAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 155 mOhms @ 5A,10V | 175mΩ@6.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W(Ta),20.8W(Tc) | 38W(Tc) |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | D-Pak |
| 连续漏极电流Id | 8.4A(Tc) | 11A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 19nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 350pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 19nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SUD08P06-155L-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Tc) P-Channel 155 mOhms @ 5A,10V 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STD10P6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 10,000 | 对比 |
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FQD11P06TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252AA |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
|
STD10P6F6 | TI | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRFR9024NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NVD2955T4G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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