STW70N60DM2 与 IPW65R045C7FKSA1 区别
| 型号 | STW70N60DM2 | IPW65R045C7FKSA1 | ||||||
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| 唯样编号 | A3t-STW70N60DM2 | A36-IPW65R045C7FKSA1 | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 446W(Tc) | - | ||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 227W(Tc) | ||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 4340pF @ 400V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 66A(Tc) | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 1.25mA | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 93nC @ 10V | ||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 45 毫欧 @ 24.9A,10V | ||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | - | ||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 46A(Tc) | ||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | ||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 650V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 5508pF @ 100V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 42mΩ@33A,10V | - | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 121nC @ 10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 241 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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STW70N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 66A(Tc) ±25V 446W(Tc) 42mΩ@33A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STWA72N60DM2AG | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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STWA72N60DM2AG | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHG73N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 520W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 600V 73A 39mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHG73N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 520W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 600V 73A 39mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |