STP40N60M2 与 SIHP33N60E-GE3 区别
| 型号 | STP40N60M2 | SIHP33N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-STP40N60M2 | A3t-SIHP33N60E-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 650 V 0.088 O 250 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 | E-Series N-Channel 600 V 278 W 99 mO 150 nC Flange Mount Power MOSFET - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.7mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 99mΩ |
| 上升时间 | - | 60ns |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 278W |
| Qg-栅极电荷 | - | 100nC |
| 栅极电压Vgs | - | 4V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 99ns |
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220-3 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 33A |
| 系列 | - | E |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3508pF @ 100V |
| 长度 | - | 10.41mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 150nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 54ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 28ns |
| 高度 | - | 15.49mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP40N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IPP65R095C7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 24A 84mΩ 20V 128W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIHP33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 33A 278W 99mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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