STP14NM50N(KEC) 与 SIHP12N50C-E3 区别
| 型号 | STP14NM50N(KEC) | SIHP12N50C-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-STP14NM50N(KEC) | A3t-SIHP12N50C-E3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 500 V 0.555 O 48 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.7mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 555mΩ |
| 上升时间 | - | 35ns |
| 漏源极电压Vds | - | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 208W |
| Qg-栅极电荷 | - | 32nC |
| 栅极电压Vgs | - | 5V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 23ns |
| 封装/外壳 | - | TO-220AB-3 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 12A |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1375pF @ 25V |
| 长度 | - | 10.41mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 48nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 6ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 18ns |
| 高度 | - | 15.49mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP14NM50N(KEC) | STMicro | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
|
SIHP12N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 12A 208W 555mΩ 500V 5V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 15 | 对比 |
|
|
SIHP12N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 12A 208W 555mΩ 500V 5V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SIHP12N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 12A 208W 555mΩ 500V 5V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
