STF14NM50N 与 IPA50R380CE 区别
| 型号 | STF14NM50N | IPA50R380CE |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-STF14NM50N | A-IPA50R380CE |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.85mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 320mΩ@6A,10V | 340mΩ |
| 上升时间 | - | 5.6ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 24.8nC |
| 栅极电压Vgs | ±25V | 20V |
| 封装/外壳 | TO-220FP | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 12A | 14.1A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10.65mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 13V |
| 下降时间 | - | 8.36ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 260µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 584pF @ 100V |
| 高度 | - | 16.15mm |
| 漏源极电压Vds | 500V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 25W(Tc) | 29.2W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | MDmesh™ II | CoolMOSCE |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 100µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 816pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 7.2ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 24.8nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF14NM50N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 25W(Tc) 320mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 500V 12A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AOTF14N50 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 500V 30V 14A 50W 380mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AOTF16N50 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 500V 30V 16A 50W 370mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPA50R380CE | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
500V -55°C~150°C(TJ) 14.1A 340mΩ 20V 29.2W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHF12N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Tc) N-Channel 555 mOhms @ 4A,10V 36W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIHF16N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 500V 16A(Tc) ±30V 38W 380mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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