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STD5NK50ZT4  与  SiHD5N50D-GE3  区别

型号 STD5NK50ZT4 SiHD5N50D-GE3
唯样编号 A3t-STD5NK50ZT4 A3t-SiHD5N50D-GE3
制造商 STMicroelectronics Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252
连续漏极电流Id - 5.3A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.5 Ohms @ 2.5A,10V
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 104W(Tc)
Vgs(最大值) - ±30V
Vgs(th) - 5V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD5NK50ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRFR825TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 119W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.3Ω@3.7A,10V N-Channel 500V 6A D-Pak

暂无价格 0 对比
SiHD5N50D-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.3A(Tc) N-Channel 1.5 Ohms @ 2.5A,10V 104W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 500V

暂无价格 0 对比

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