STD30NF06LT4 与 RSD221N06TL 区别
| 型号 | STD30NF06LT4 | RSD221N06TL | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A3t-STD30NF06LT4 | A33-RSD221N06TL-0 | ||||||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK | MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 850mW(Ta),20W(Tc) | ||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1500pF @ 10V | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N 通道 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | CPT3 | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 26 毫欧 @ 22A,10V | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 22A(Tc) | ||||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 30nC @ 10V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 6,068 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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STD30NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
¥11.7097
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6,068 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRFR5305TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) 65mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 55V 31A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
¥11.7097
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1,300 | 对比 | ||||||||||||||||
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BUK7230-55A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 88W 175°C 3V 55V 38A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRLR2905TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 27mΩ@25A,10V N-Channel 55V 42A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |