SSM6P36TU,LF(T 与 SI1967DH-T1-GE3 区别
| 型号 | SSM6P36TU,LF(T | SI1967DH-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SSM6P36TU,LF(T | A3t-SI1967DH-T1-GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.25 mm |
| 零件号别名 | - | SI1903DL-T1-GE3 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 490mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.25W |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | - | SC-70-6 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 1.3A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 长度 | - | 2.1 mm |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 110pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4nC @ 8V |
| 高度 | - | 1 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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SSM6P36TU,LF(T | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SI1967DH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.25W -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 20V 1.3A 490mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI1967DH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.25W -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 20V 1.3A 490mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI1967DH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.25W -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 20V 1.3A 490mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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