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SSM6L36FE,LM  与  SI1016CX-T1-GE3  区别

型号 SSM6L36FE,LM SI1016CX-T1-GE3
唯样编号 A3t-SSM6L36FE,LM-1 A3t-SI1016CX-T1-GE3
制造商 Toshiba Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 Si1016CX Series 20 V 396 mOhm Surface Mount N and P-Channel MOSFET - SC-89-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 150mW -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 396 mOhms @ 500mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) - 220mW
产品状态 在售 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 630 毫欧 @ 200mA,5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 46pF @ 10V -
Vgs(th) 1V @ 1mA 1V @ 250uA
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 1.23nC @ 4V -
封装/外壳 ES6 SOT-563
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 500mA,330mA -
FET功能 逻辑电平门 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SSM6L36FE,LM Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel ES6 150°C(TJ) 20V 500mA,330mA

暂无价格 0 当前型号
SI1016CX-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 396 mOhms @ 500mA,4.5V 220mW SOT-563 -55°C~150°C 20V

暂无价格 50 对比
SI1016CX-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 396 mOhms @ 500mA,4.5V 220mW SOT-563 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 对比
SI1016CX-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 396 mOhms @ 500mA,4.5V 220mW SOT-563 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 对比

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