SP8K32FRATB 与 SI9945BDY-T1-GE3 区别
| 型号 | SP8K32FRATB | SI9945BDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SP8K32FRATB | A3t-SI9945BDY-T1-GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 46mΩ | 58mΩ |
| 零件号别名 | - | SI9945BDY-GE3 |
| 上升时间 | 18ns | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 3.1W |
| Qg-栅极电荷 | 7nC | - |
| 栅极电压Vgs | 1V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 40ns | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOP-8 | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 4.5A | 4.3A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 通道数量 | 2Channel | - |
| 配置 | Dual | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 665pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 10V |
| 下降时间 | 13ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 12ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SP8K32FRATB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4.5A 2W 46mΩ 60V 1V SOP-8 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
￥3.631
|
0 | 对比 | ||||
|
|
SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
