SIZ902DT-T1-GE3 与 FDMS9620S 区别
| 型号 | SIZ902DT-T1-GE3 | FDMS9620S |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIZ902DT-T1-GE3 | A3t-FDMS9620S |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 32 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - Power 56 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 1W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12 mOhms @ 13.8A,10V | 21.5 毫欧 @ 7.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 29W,66W | 1W |
| Vgs(th) | 2.2V @ 250uA | - |
| FET类型 | 2N-Channel | 逻辑电平门 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN | 8-MLP (5x6), Power56 |
| 连续漏极电流Id | 16A | 7.5A,10A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 665pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 665pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
16A 2N-Channel 12 mOhms @ 13.8A,10V 29W,66W 8-PowerWDFN -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDMS9620S | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
21.5m Ohms@7.5A,10V 1W -55°C~150°C(TJ) Power56 MLP N-Channel 7.5A/10A 2N-Channel 逻辑电平门 30V 7.5A,10A 21.5 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 8-MLP (5x6), Power56 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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