SISS46DN-T1-GE3 与 PXN012-100QSJ 区别
| 型号 | SISS46DN-T1-GE3 | PXN012-100QSJ |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SISS46DN-T1-GE3 | A3t-PXN012-100QSJ |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | PXN012-100QS/SOT8002/MLPAK33 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 5W(Ta),65.7W(Tc) | - |
| 功率耗散(最大值) | - | 58W |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| Vgs(th) | 3.4V @ 250uA | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 22 nC @ 10 V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8S | SOT8002 |
| 连续漏极电流Id | 12.5A(Ta),45.3A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 50A |
| 漏源电压(Vdss) | - | 100 V |
| 导通电阻Rds(On) | 12.8 mOhms @ 10A,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SISS46DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.5A(Ta),45.3A(Tc) N-Channel 12.8 mOhms @ 10A,10V 5W(Ta),65.7W(Tc) PowerPAK® 1212-8S -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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PXN012-100QSJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT8002 N 通道 |
￥1.4249
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99,000 | 对比 | ||||||
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PXN012-100QSJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT8002 N 通道 |
￥2.509
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0 | 对比 | ||||||
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PXN012-100QSJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT8002 N 通道 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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