SIS990DN-T1-GE3 与 FDMC86116LZ 区别
| 型号 | SIS990DN-T1-GE3 | FDMC86116LZ |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIS990DN-T1-GE3 | A3t-FDMC86116LZ |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 2.3W(Ta),19W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 85 mOhms @ 8A,10V | 103 毫欧 @ 3.3A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 25W | 2.3W(Ta),19W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 | 8-PowerWDFN |
| 连续漏极电流Id | 12.1A | 3.3A(Ta),7.5A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 50V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 310pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 310pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIS990DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.1A 2N-Channel 85 mOhms @ 8A,10V 25W PowerPAK® 1212-8 双 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDMC86116LZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.3W(Ta),19W(Tc) 103m Ohms@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) Power 3.3A N-Channel 100V 3.3A(Ta),7.5A(Tc) ±20V 103 毫欧 @ 3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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