SIS322DNT-T1-GE3 与 CSD17308Q3 区别
| 型号 | SIS322DNT-T1-GE3 | CSD17308Q3 | ||||
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| 唯样编号 | A3t-SIS322DNT-T1-GE3 | A36-CSD17308Q3 | ||||
| 制造商 | Vishay | TI | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Ta），44A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) | ||||
| 连续漏极电流Id | 38.3A(Tc) | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.5 mOhms @ 10A,10V | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.2W(Ta),19.8W(Tc) | - | ||||
| Vgs(最大值) | +20V,-16V | - | ||||
| Vgs(th) | 2.4V @ 250uA | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 111 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SIS322DNT-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
38.3A(Tc) N-Channel 7.5 mOhms @ 10A,10V 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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CSD17551Q3A | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥3.058
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5,000 | 对比 | |||||||||||
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CSD17308Q3 | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥3.377
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111 | 对比 | |||||||||||
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NTTFS4928NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NTTFS4928NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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