SIS184DN-T1-GE3 与 PSMN5R0-40MSHX 区别
| 型号 | SIS184DN-T1-GE3 | PSMN5R0-40MSHX |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIS184DN-T1-GE3 | A3t-PSMN5R0-40MSHX |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | PSMN5R0-40MSH/SOT1210/mLFPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 3.7W(Ta),52W(Tc) | - |
| 功率耗散(最大值) | - | 83W(Ta) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2010 pF @ 20 V |
| Vgs(th) | 3.4V @ 250uA | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 29 nC @ 10 V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8S | SOT1210 |
| 连续漏极电流Id | 17.4A(Ta),65.3A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3.6V @ 1mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 5 毫欧 @ 20A,10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 85A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 40 V |
| 导通电阻Rds(On) | 5.8 mOhms @ 10A,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SIS184DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
17.4A(Ta),65.3A(Tc) N-Channel 5.8 mOhms @ 10A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8S -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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PSMN5R0-40MSHX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) N 通道 SOT1210 |
￥4.9267
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0 | 对比 | ||||||
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PSMN5R0-40MSHX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) N 通道 SOT1210 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PSMN5R0-40MSHX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) N 通道 SOT1210 |
￥2.9378
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0 | 对比 |
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