SIS184DN-T1-GE3 与 PSMN5R0-40MSHX 区别
| 型号 | SIS184DN-T1-GE3 | PSMN5R0-40MSHX | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIS184DN-T1-GE3 | A3n-PSMN5R0-40MSHX | ||||
| 制造商 | Vishay | Nexperia | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | PSMN5R0-40MSH/SOT1210/mLFPAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 3.7W(Ta),52W(Tc) | - | ||||
| 功率耗散(最大值) | - | 83W(Ta) | ||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2010 pF @ 20 V | ||||
| Vgs(th) | 3.4V @ 250uA | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 29 nC @ 10 V | ||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8S | SOT1210 | ||||
| 连续漏极电流Id | 17.4A(Ta),65.3A(Tc) | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3.6V @ 1mA | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 5 毫欧 @ 20A,10V | ||||
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 85A(Ta) | ||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 40 V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 5.8 mOhms @ 10A,10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIS184DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
17.4A(Ta),65.3A(Tc) N-Channel 5.8 mOhms @ 10A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8S -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
PSMN5R0-40MSHX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) N 通道 SOT1210 |
￥4.9267
|
0 | 对比 | ||||||
|
|
PSMN5R0-40MSHX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) N 通道 SOT1210 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
PSMN5R0-40MSHX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) N 通道 SOT1210 |
￥2.9378
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
