SIRA18DP-T1-GE3 与 FDMS7682 区别
| 型号 | SIRA18DP-T1-GE3 | FDMS7682 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIRA18DP-T1-GE3 | A36-FDMS7682 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET | 30V, 22A, 0.0063 ohms, Power 56 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 3.3W(Ta),14.7W(Tc) | - | ||||||||
| 宽度 | 5.15 mm | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | +20V,-16V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-PowerTDFN | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 15.5A | - | ||||||||
| 系列 | SIR | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 250µA | - | ||||||||
| 长度 | 6.15 mm | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1000pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 21.5nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 7.5mΩ | - | ||||||||
| 高度 | 1.04 mm | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,947 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
+20V,-16V 3.3W(Ta),14.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 15.5A 7.5mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
FDMS7682 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-PowerTDFN |
￥3.51
|
2,947 | 对比 | ||||||||||
|
IRFH8337TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.2W(Ta),27W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.8mΩ@16.2A,10V N-Channel 30V 12A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
