SIRA18DP-T1-GE3 与 IRFH8337TRPBF 区别
| 型号 | SIRA18DP-T1-GE3 | IRFH8337TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIRA18DP-T1-GE3 | A-IRFH8337TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | 30V, 16.2A, 0.0128 ohms, PQFN 5x6 HEXFET POWER MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 3.3W(Ta),14.7W(Tc) | 3.2W(Ta),27W(Tc) |
| 宽度 | 5.15 mm | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 栅极电压Vgs | +20V,-16V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | PQFN(5x6) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 15.5A | 12A |
| 系列 | SIR | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 250µA | 2.35V @ 25µA |
| 长度 | 6.15 mm | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1000pF @ 15V | 790pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 21.5nC @ 10V | 10nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 导通电阻Rds(On) | 7.5mΩ | 12.8mΩ@16.2A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 790pF @ 10V |
| 高度 | 1.04 mm | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
+20V,-16V 3.3W(Ta),14.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 15.5A 7.5mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
FDMS7682 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-PowerTDFN |
￥3.51
|
2,947 | 对比 | ||||||||||
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IRFH8337TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.2W(Ta),27W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.8mΩ@16.2A,10V N-Channel 30V 12A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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