SIRA12DP-T1-GE3 与 FDMS8692 区别
| 型号 | SIRA12DP-T1-GE3 | FDMS8692 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIRA12DP-T1-GE3 | A3t-FDMS8692 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.15mm | - |
| 功率 | - | 2.5W(Ta),41W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.2mΩ | 9 毫欧 @ 12A,10V |
| 上升时间 | 10ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 45nC | - |
| 栅极电压Vgs | 1.1V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | 51S | - |
| 封装/外壳 | PowerPAK-SO-8 | 8-PowerTDFN |
| 连续漏极电流Id | 60A | 12A(Ta),28A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 6.15mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | 10ns | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1265pF @ 15V |
| 高度 | 1.04mm | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 31W | - |
| 典型关闭延迟时间 | 25ns | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 系列 | SIR | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 典型接通延迟时间 | 10ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 21nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
60A 31W 3.2mΩ 30V 1.1V PowerPAK-SO-8 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
CSD17577Q5A | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥2.233
|
804 | 对比 | |||||||
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FDMS8692 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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|
FDMS7692A | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.5W(Ta),27W(Tc) 8m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) Power 13.5A N-Channel 30V 13.5A(Ta),28A(Tc) ±20V 8 毫欧 @ 13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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