SIRA06DP-T1-GE3 与 RS1E280GNTB 区别
| 型号 | SIRA06DP-T1-GE3 | RS1E280GNTB | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIRA06DP-T1-GE3 | A33-RS1E280GNTB | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 5W(Ta),62.5W(Tc) | 3W(Ta),31W(Tc) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Vgs(th) | 2.2V @ 250uA | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | 8-PowerTDFN | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 28A(Ta) | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||||
| Vgs(最大值) | +20V,-16V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 2.5 mOhms @ 15A,10V | 2.6mΩ@28A,10V | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2300pF @ 15V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 36nC @ 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 987 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 28 - 35天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SIRA06DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 2.5 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RS1E280GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),31W(Tc) 2.6mΩ@28A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 28A(Ta) |
￥6.4394
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E280GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),31W(Tc) 2.6mΩ@28A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 28A(Ta) |
￥10.1901
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E280GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),31W(Tc) 2.6mΩ@28A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 28A(Ta) |
￥6.4394
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987 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E280GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),31W(Tc) 2.6mΩ@28A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 28A(Ta) |
暂无价格 | 150 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E280GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),31W(Tc) 2.6mΩ@28A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 28A(Ta) |
￥13.5207
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100 | 对比 |
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