SIRA02DP-T1-GE3 与 NTMFS4983NFT1G 区别
| 型号 | SIRA02DP-T1-GE3 | NTMFS4983NFT1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIRA02DP-T1-GE3 | A3t-NTMFS4983NFT1G |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 1.7W(Ta),38W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2 mOhms @ 15A,10V | 2.1 毫欧 @ 30A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 5W(Ta),71.4W(Tc) | - |
| Vgs(th) | 2.2V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | SO-FL |
| 连续漏极电流Id | 50A(Tc) | 48A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3250pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 47.9nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | +20V,-16V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SIRA02DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 2 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),71.4W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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TPH1R403NL,L1Q(M | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOP Advance N-Channel 64W 1.4mΩ@30A,10V 150°C ±20V 30V 60A |
￥2.706
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15,445 | 对比 | ||||||||||||
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TPH1R403NL,L1Q(M | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOP Advance N-Channel 64W 1.4mΩ@30A,10V 150°C ±20V 30V 60A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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TPH1R403NL,L1Q(M | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOP Advance N-Channel 64W 1.4mΩ@30A,10V 150°C ±20V 30V 60A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDMS8662 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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NTMFS4983NFT1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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