SIR668DP-T1-RE3 与 BSC035N10NS5 区别
| 型号 | SIR668DP-T1-RE3 | BSC035N10NS5 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIR668DP-T1-RE3 | A-BSC035N10NS5 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 系列:OptiMOS™ | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | 8-PowerTDFN |
| 连续漏极电流Id | 95A(Tc) | 100A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.8 mOhms @ 20A,10V | 3.5mΩ@50A,10V |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W(Tc) | 156W |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| Vgs(th) | 3.4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIR668DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
95A(Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 20A,10V 104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDMS86181 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
PQFN-8 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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FDMS86181 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
PQFN-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC040N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TDSON-8 100V 100A 4mΩ@50A,10V ±20V 139W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC035N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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