SIR640ADP-T1-GE3 与 IRFH7440TRPBF 区别
| 型号 | SIR640ADP-T1-GE3 | IRFH7440TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIR640ADP-T1-GE3 | A-IRFH7440TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | SiR640ADP Series 40 V 60 A 2 mOhm N-Channel Mosfet - PowerPAK® SO-8 | Single N-Channel 40 V 104 W 92 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 104W | 104W(Tc) |
| 上升时间 | 6ns | - |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Qg-栅极电荷 | 90nC | - |
| 栅极电压Vgs | 900mV | ±20V |
| 典型关闭延迟时间 | 44ns | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 82S | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-PQFN(5x6) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 100A | 159A |
| 系列 | SIR | HEXFET®,StrongIRFET™ |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | 3.9V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4240pF @ 20V | 4574pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 90nC @ 10V | 138nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 6V,10V |
| 下降时间 | 8ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 17ns | - |
| 导通电阻Rds(On) | 1.65mΩ | 2.4mΩ@50A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR640ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 100A 104W 1.65mΩ 40V 900mV |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRFH7440TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 104W(Tc) 2.4mΩ@50A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 159A 40V 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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