SIR638DP-T1-GE3 与 BSC010N04LSI 区别
| 型号 | SIR638DP-T1-GE3 | BSC010N04LSI |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIR638DP-T1-GE3 | A-BSC010N04LSI |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.88mΩ@20A,10V | 900uΩ |
| 上升时间 | - | 48ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 122nC |
| 栅极电压Vgs | +20V,-16V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 130S |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | PG-TDSON-8 |
| 连续漏极电流Id | 100A(Tc) | 100A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | - | 17ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 10500pF @ 20V | - |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | 139W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 72ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | OptiMOS5 |
| 电压 | 40V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 22ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 204nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR638DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 100A(Tc) +20V,-16V 0.88mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SO-8 104W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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NTMFS4931NT1G | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
23A(Ta),246A(Tc) ±20V 950mW(Ta) 1.1m Ohms@30A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN SO-FL N-Channel 30V 40A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
BSC010N04LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 100A 1mΩ@50A,10V ±20V 139W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSC010N04LSI | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 100A 900uΩ 20V 139W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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