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SIR468DP-T1-GE3  与  NTMFS4941NT1G  区别

型号 SIR468DP-T1-GE3 NTMFS4941NT1G
唯样编号 A3t-SIR468DP-T1-GE3 A3t-NTMFS4941NT1G
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 5W(Ta),50W(Tc) -
功率 - 910mW(Ta),25.5W(Tc)
零件号别名 SIR468DP-GE3 -
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 8-PowerTDFN,5 引线
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 40A 9A(Ta),47A(Tc)
系列 SIR -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1720pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 5.7mΩ 6.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1650pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25.5nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR468DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5W(Ta),50W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 40A 5.7mΩ

暂无价格 0 当前型号
NTMFS4C10NT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6.95mΩ@30A,10V ±20V SO-8FL -55°C~150°C 8.2A 30V 23.6W N-Channel

¥1.692 

阶梯数 价格
30: ¥1.692
50: ¥1.296
1,500: ¥1.2
2,117 对比
NTMFS4941NT1G ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
NTMFS4C10NT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6.95mΩ@30A,10V ±20V SO-8FL -55°C~150°C 8.2A 30V 23.6W N-Channel

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NTMFS4C10NT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6.95mΩ@30A,10V ±20V SO-8FL -55°C~150°C 8.2A 30V 23.6W N-Channel

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NTMFS4C10NT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6.95mΩ@30A,10V ±20V SO-8FL -55°C~150°C 8.2A 30V 23.6W N-Channel

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