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SIR438DP-T1-GE3  与  IRFH5250DTRPBF  区别

型号 SIR438DP-T1-GE3 IRFH5250DTRPBF
唯样编号 A3t-SIR438DP-T1-GE3 A-IRFH5250DTRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 25 V 1.8 mOhm 105 nC 83 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8 Single N-Channel 25 V 3.6 W 39 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 5.4W(Ta),83W(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc)
漏源极电压Vds 25V 25V
Vgs(th) 2.3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 PQFN(5x6)
连续漏极电流Id 60A(Tc) 40A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6115pF @ 13V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 83nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 1.8 mOhms @ 20A,10V 1.4mΩ@50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6115pF @ 13V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 83nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR438DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

60A(Tc) N-Channel 1.8 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 25V

暂无价格 0 当前型号
IRFH4210DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 25V 44A(Ta) ±20V 3.5W(Ta),125W(Tc) 1.1mΩ@50A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8

暂无价格 0 对比
IRFH5250TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.6W(Ta),160W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.15mΩ@50A,10V N-Channel 25V 45A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH5250DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.6W(Ta),156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.4mΩ@50A,10V N-Channel 25V 40A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSC050NE2LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 25V 58A 5mΩ 20V 28W N-Channel PG-TDSON-8

暂无价格 0 对比

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