SIR416DP-T1-GE3 与 CSD18532Q5B 区别
| 型号 | SIR416DP-T1-GE3 | CSD18532Q5B |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIR416DP-T1-GE3 | A36-CSD18532Q5B |
| 制造商 | Vishay | TI |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | N-Channel 40 V 3.8 mO 90 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8 | 表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Ta） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6） |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK SO-8 | 8-VSONP(5x6) |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK SO-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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CSD18532Q5B | TI | 数据手册 | 未分类 | 暂无价格 | 2 | 对比 | |||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥13.4808
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥7.9339
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 160 | 对比 | ||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥10.1972
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100 | 对比 |
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