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SIR414DP-T1-GE3  与  FDMS8460CT-ND  区别

型号 SIR414DP-T1-GE3 FDMS8460CT-ND
唯样编号 A3t-SIR414DP-T1-GE3 A3t-FDMS8460CT-ND
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述 Single N-Channel 40 V 0.0028 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPak-SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 -
连续漏极电流Id 50A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.8 mOhms @ 20A,10V -
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 5.4W(Ta),83W(Tc) -
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR414DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

50A(Tc) N-Channel 2.8 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V

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FDMS8460CT-ND ON Semiconductor 未分类

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