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SIJ188DP-T1-GE3  与  PSMN7R5-60YLX  区别

型号 SIJ188DP-T1-GE3 PSMN7R5-60YLX
唯样编号 A3t-SIJ188DP-T1-GE3 A3n-PSMN7R5-60YLX
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 SOT669
功率耗散Pd 5W(Ta),65.7W(Tc) 147W
连续漏极电流Id 25,5A(Ta),92,4A(Tc) 86A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~175°C
漏源极电压Vds 60V 60V
Vgs(最大值) ±20V -
导通电阻Rds(On) 3.85 mOhms @ 10A,10V 7.5mΩ@20A,10V
Vgs(th) 3.6V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
1,500+ :  ¥2.8779
3,000+ :  ¥2.7628
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIJ188DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

25,5A(Ta),92,4A(Tc) N-Channel 3.85 mOhms @ 10A,10V 5W(Ta),65.7W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 当前型号
PSMN7R5-60YLX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 7.5mΩ@20A,10V 147W -55°C~175°C ±20V 60V 86A

¥4.8263 

阶梯数 价格
1,500: ¥4.8263
0 对比
PSMN7R5-60YLX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 7.5mΩ@20A,10V 147W -55°C~175°C ±20V 60V 86A

¥2.8779 

阶梯数 价格
1,500: ¥2.8779
3,000: ¥2.7628
0 对比
PSMN7R5-60YLX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 7.5mΩ@20A,10V 147W -55°C~175°C ±20V 60V 86A

暂无价格 0 对比
PSMN5R5-60YSK115 Nexperia 未分类

暂无价格 0 对比
PSMN7R5-60YLX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 7.5mΩ@20A,10V 147W -55°C~175°C ±20V 60V 86A

暂无价格 0 对比

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