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SIHP7N60E  与  SPP07N60C3  区别

型号 SIHP7N60E SPP07N60C3
唯样编号 A3t-SIHP7N60E A-SPP07N60C3
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600mΩ
上升时间 - 3.5ns
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.1V,3.9V
封装/外壳 - TO-220
连续漏极电流Id - 7.3A
工作温度 - -55°C~150°C
配置 - Single
QG (typ @10V) - 21.0 nC
Ptot max - 83.0W
长度 - 10mm
下降时间 - 7ns
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 0.71
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 - N-Channel
Mounting - THT
RthJC max - 1.5 K/W
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
典型接通延迟时间 - 6ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP7N60E Vishay 未分类

暂无价格 0 当前型号
SPP07N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

83W 600mΩ 600V 7.3A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

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