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SIHP6N40D-GE3  与  FQP6N40C  区别

型号 SIHP6N40D-GE3 FQP6N40C
唯样编号 A3t-SIHP6N40D-GE3 A3t-FQP6N40C
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N Channel 400 V 0.83 O 73 W QFET Mosfet Flange Mount - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 73W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1 Ohms @ 3A,10V 1 欧姆 @ 3A,10V
漏源极电压Vds 400V 400V
Pd-功率耗散(Max) 104W(Tc) 73W(Tc)
Vgs(th) 5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 6A(Tc) 6A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 625pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 625pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP6N40D-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) N-Channel 1 Ohms @ 3A,10V 104W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 400V

暂无价格 0 当前型号
FQP6N40C ON Semiconductor 通用MOSFET

73W(Tc) 1 Ohms@3A,10V -55°C~150°C(TJ) 6A N-Channel 400V 6A(Tc) ±30V 1 欧姆 @ 3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB TO-220-3

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