SIHP33N60E-GE3 与 FCP36N60N 区别
| 型号 | SIHP33N60E-GE3 | FCP36N60N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHP33N60E-GE3 | A3t-FCP36N60N |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | E-Series N-Channel 600 V 278 W 99 mO 150 nC Flange Mount Power MOSFET - TO-220AB | N-Channel 600 V 90 mO Flange Mount SupreMOS® Mosfet - TO-220-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 4.7mm | - |
| 功率 | - | 312W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 99mΩ | 90 毫欧 @ 18A,10V |
| 上升时间 | 60ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 100nC | - |
| 栅极电压Vgs | 4V | ±30V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 33A | 36A(Tc) |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 10.41mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 下降时间 | 54ns | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4785pF @ 100V |
| 高度 | 15.49mm | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 278W | 312W(Tc) |
| 典型关闭延迟时间 | 99ns | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 系列 | E | SupreMOS™ |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3508pF @ 100V | 4785pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 150nC @ 10V | 112nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 28ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 112nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHP33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 33A 278W 99mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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TK31E60W | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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FCP36N60N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
312W(Tc) 90m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 36A N-Channel 600V 36A(Tc) ±30V 90 毫欧 @ 18A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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STP40N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STP40N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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