SIHP33N60E-GE3 与 STP34NM60N 区别
| 型号 | SIHP33N60E-GE3 | STP34NM60N | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHP33N60E-GE3 | A36-STP34NM60N | ||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | E-Series N-Channel 600 V 278 W 99 mO 150 nC Flange Mount Power MOSFET - TO-220AB | N-Channel 600 V 105 mOhm Flange Mount MDmesh™ II Power Mosfet - TO-220 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | 4.7mm | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 99mΩ | - | ||
| 上升时间 | 60ns | - | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 278W | - | ||
| Qg-栅极电荷 | 100nC | - | ||
| 栅极电压Vgs | 4V | - | ||
| 典型关闭延迟时间 | 99ns | - | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 连续漏极电流Id | 33A | - | ||
| 系列 | E | - | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 配置 | Single | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3508pF @ 100V | - | ||
| 长度 | 10.41mm | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 150nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 下降时间 | 54ns | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 28ns | - | ||
| 高度 | 15.49mm | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 35 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHP33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 33A 278W 99mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
STP34NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
￥45.705
|
35 | 对比 | ||||
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TK31E60W | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FCP36N60N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
312W(Tc) 90m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 36A N-Channel 600V 36A(Tc) ±30V 90 毫欧 @ 18A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
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STP40N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
STP40N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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