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SIHP33N60E-E3  与  TK31E60W  区别

型号 SIHP33N60E-E3 TK31E60W
唯样编号 A3t-SIHP33N60E-E3 A3t-TK31E60W
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO220AB
漏极电流 - 30.8A
耗电 - 230W
栅极-源极电压 - ±30V
漏极-源极电压 - 600V
安装 - THT
极化 - 单极
开启状态电阻 - 73m Ohms
包装类型 -
FET类型 - N-MOSFET
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP33N60E-E3 Vishay 未分类

暂无价格 0 当前型号
TK31E60W Toshiba 未分类

暂无价格 0 对比
FCP36N60N ON Semiconductor 通用MOSFET

312W(Tc) 90m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 36A N-Channel 600V 36A(Tc) ±30V 90 毫欧 @ 18A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

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