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SIHP22N65E  与  IPP65R190C7  区别

型号 SIHP22N65E IPP65R190C7
唯样编号 A3t-SIHP22N65E A-IPP65R190C7
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 168mΩ
上升时间 - 11ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 72W
Qg-栅极电荷 - 23nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 54ns
FET类型 - N-Channel
连续漏极电流Id - 13A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC7
长度 - 10mm
下降时间 - 9ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP22N65E Vishay 未分类

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IPP65R190C7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

650V 13A 168mΩ 20V 72W N-Channel -55°C~150°C

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